Ni掺杂ZnS的第一性原理计算

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (1): 166-171.

Ni掺杂ZnS的第一性原理计算

曾冬;符春林;蔡苇;郭倩;谭平;张朝阳

重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆,401331;重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆401331;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳,621900

出版日期:2013-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51102288);重庆市自然基金重点项目(CSTC2011BA4027);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(KFJJ201104);重庆市教委科学技术研究项目(KJ121408)

First-principles Calculation on Ni Doped ZnS

ZENG Dong;FU Chun-lin;CAI Wei;GUO Qian;TAN Ping;ZHANG Chao-yang

Online:2013-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线.结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料.掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动；在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂.纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高.掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰.

中图分类号:

O649
O472

曾冬;符春林;蔡苇;郭倩;谭平;张朝阳. Ni掺杂ZnS的第一性原理计算[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(1): 166-171.

ZENG Dong;FU Chun-lin;CAI Wei;GUO Qian;TAN Ping;ZHANG Chao-yang. First-principles Calculation on Ni Doped ZnS[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(1): 166-171.

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