共溅射NixZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (1): 186-191.

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共溅射NixZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能

王锋;黄鹏飞

泉州师范学院物理与信息工程学院,泉州,362000

出版日期:2013-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
福建省自然科学基金(2010J01305,E0510027);福建省教育厅A类科技项目(JA12283);泉州市科技项目计划(2009G82012Z105);福建省高校服务海西建设重点项目(A100)

Structure, Magnetic and Electrical Properties of NixZn1-xO Co-sputtering Films

WANG Feng;HUANG Peng-fei

Online:2013-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频共溅射方法制备了NixZn1-xO(x =0.78、0.72、0.68)薄膜.薄膜有非晶相和少量的NiO结晶相的存在.样品都具有明显的室温铁磁性,退火后(TA=803 K) Ni0.78Zn0.22O薄膜的饱和磁化强度Ms可达65 emu/cm3,对应单个Ni离子磁矩大于0.13 μB.低温下制备态薄膜都出现了电阻率极小值的现象,这是由于样品发生了金属-绝缘体转变.

中图分类号:

O469

王锋;黄鹏飞. 共溅射NixZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(1): 186-191.

WANG Feng;HUANG Peng-fei. Structure, Magnetic and Electrical Properties of NixZn1-xO Co-sputtering Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(1): 186-191.

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共溅射NixZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能

Structure, Magnetic and Electrical Properties of NixZn1-xO Co-sputtering Films

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