飞秒激光对两种不同的单晶硅的辐照损伤研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (1): 99-104.

飞秒激光对两种不同的单晶硅的辐照损伤研究

马鹏飞;刘中山;常方高;宋桂林;王克栋

河南师范大学物理与信息工程学院,新乡453007;河南省光伏材料重点实验室,新乡453007

出版日期:2013-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河南省基础与前沿技术研究计划项目(122300410230);河南师范大学青年基金项目(20129k09)

Irradiated Damages of Femtosecond Laser in Two Different Monocrystalline Silicon Wafers

MA Peng-fei;LIU Zhong-shan;CHANG Fang-gao;SONG Gui-lin;WANG Ke-dong

Online:2013-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为研究杂质在超短脉冲激光对材料辐照过程中的作用,利用相同能量密度的飞秒激光对两种不同的单晶硅片进行扫描刻蚀,在两种硅片表面均形成平行分布的刻蚀槽,刻蚀槽内部密布着大量的微纳米颗粒.通过电子扫描显微镜和台阶仪等测试手段对样品进行形貌观测,发现两种样品的损伤程度存在较明显的差异.数据分析表明激光辐照对材料造成的损伤受到晶体内部固有杂质缺陷的影响,杂质的存在可以加剧辐照损伤.

中图分类号:

O77+4

马鹏飞;刘中山;常方高;宋桂林;王克栋. 飞秒激光对两种不同的单晶硅的辐照损伤研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(1): 99-104.

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