Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (10): 1983-1991.

Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展

周明斌;李振荣;李静思;吴熙;范世马豈;徐卓

西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049

出版日期:2013-10-15 发布日期:2021-01-20

Research Progress of GaN Crystal Grown by Na Flux Method

ZHOU Ming-bin;LI Zhen-rong;LI Jing-si;WU Xi;FAN Shi-ji;XU Zhuo

Online:2013-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础.高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈.在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低,近年来发展较快.本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂种类以及得到晶体尺寸和质量等几方面进行了综述,分析了目前Na助熔剂法生长GaN单晶中的技术问题并提出了进一步研究的一些建议.

中图分类号:

O782

周明斌;李振荣;李静思;吴熙;范世马豈;徐卓. Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 1983-1991.

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