用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (10): 2002-2006.

用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究

温迪;雷青松;乔治;高美伶;薛俊明;张雯

河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130;河北汉盛光电科技有限公司,衡水,053000

出版日期:2013-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津市自然科学基金(10JCYBJC03000)

Study on Preparation and Properties of ITO Thin Films for HIT Solar Cells

WEN Di;LEI Qing-song;QIAO Zhi;GAO Mei-ling;XUE Jun-ming;ZHANG Wen

Online:2013-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响.通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10-4Ω·cm,可见光波段(400～800 nm)平均透过率为82.3;的ITO薄膜.将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04;的HIT太阳能电池.

中图分类号:

O484

温迪;雷青松;乔治;高美伶;薛俊明;张雯. 用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 2002-2006.

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