衬底温度对nc-Si∶H薄膜微结构和氢键合特征的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (10): 2033-2037.

衬底温度对nc-Si∶H薄膜微结构和氢键合特征的影响

陈乙豪;蒋冰;马蕾;李钗;彭英才

河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2013-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61204079);河北省自然科学基金(E2012201088,F2013201196);河北省高等学校科学技术研究项目(2011237,ZH2012019)

Effect of Substrate Temperature on Microstructure and Hydrogen Bonding Configurations of nc-Si∶H Thin Films

CHEN Yi-hao;JIANG Bing;MA Lei;LI Chai;PENG Ying-cai

Online:2013-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以H2和SiH4作为反应气体源,在不同的衬底温度下沉积了nc-Si∶H薄膜.采用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术分析了薄膜的微结构和氢键合特征.结果表明,随衬底温度的升高,nc-Si∶H薄膜的沉积速率不断增大,晶化率和晶粒尺寸增加,纳米硅颗粒呈现出Si(111)晶面的择优生长趋势.键合特性显示,薄膜中的氢含量随衬底温度升高而逐渐减小,薄膜均匀性先增大后减小.

中图分类号:

O484

陈乙豪;蒋冰;马蕾;李钗;彭英才. 衬底温度对nc-Si∶H薄膜微结构和氢键合特征的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 2033-2037.

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