SiC单晶片研磨机理及试验

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (10): 2065-2070.

SiC单晶片研磨机理及试验

李淑娟;胡海明;李言;高新勤

西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安,710048

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51175420);陕西省教育厅基金(11JK0849/11JS074)

Mechanism and Experiment on Lapping SiC Single Crystal Wafer

LI Shu-juan;HU Hai-ming;LI Yan;GAO Xin-qin

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： SiC因其优良的物理机械性能而广泛应用于大功率器件以及IC领域.但其高的硬度和脆性导致其加工过程非常困难.本文分析了SiC单晶在研磨过程中的材料去除机理,讨论了塑性去除时磨粒的临界切削深度,建立了塑性条件下的材料去除模型.采用不同粒度的金刚石磨粒对SiC晶片进行研磨实验,验证了理论模型的正确性,结果表明在塑性模式下的材料去除能获得良好的表面形貌和较低粗糙度,同时对不同磨粒粒度的材料去除率进行了讨论.

中图分类号:

TG580

李淑娟;胡海明;李言;高新勤. SiC单晶片研磨机理及试验[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 2065-2070.

LI Shu-juan;HU Hai-ming;LI Yan;GAO Xin-qin. Mechanism and Experiment on Lapping SiC Single Crystal Wafer[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(10): 2065-2070.

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