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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (10): 2080-2086.

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溅射功率对ZnO∶Si透明导电薄膜性能的影响

冯祝;万云芳   

  1. 山东理工大学理学院,淄博,255049
  • 发布日期:2021-01-20

Effect of Sputtering Power on the Properties of Si Doped ZnO Transparent Conductive Films

FENG Zhu;WAN Yun-fang   

  • Published:2021-01-20

摘要: 采用直流磁控溅射法在室温玻璃基片上制备出了掺硅氧化锌(ZnO∶ Si)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO∶ Si薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响.结果表明,溅射功率对ZnO∶ Si薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大.实验制备的ZnO∶Si薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于基片方向的c轴择优取向.当溅射功率从45 W增加到105 W时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;当溅射功率为105 W时,薄膜的电阻率达到最小值3.83×10-4 Ω·cm,其可见光透过率为94.41;.实验制备的ZnO∶ Si薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.

关键词: 直流磁控溅射;ZnO∶Si薄膜;光电特性

中图分类号: