石英坩埚表面涂层对铸造多晶硅生长中杂质传输的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (10): 2177-2182.

石英坩埚表面涂层对铸造多晶硅生长中杂质传输的影响

季尚司;左然;苏文佳;韩江山

江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金青年基金(51206069);江苏省自然基金青年基金(BK2012295)

Effect of Crucible Surface Coating on Transport of As-grown Impurity in Multicrystalline Silicon

JI Shang-si;ZUO Ran;SU Wen-jia;HAN Jiang-shan

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层厚度能够很明显的降低晶体中O,C的含量.同时涂层的渗透系数越小,O,C杂质在晶体中的分布含量越低.

中图分类号:

O731

季尚司;左然;苏文佳;韩江山. 石英坩埚表面涂层对铸造多晶硅生长中杂质传输的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 2177-2182.

JI Shang-si;ZUO Ran;SU Wen-jia;HAN Jiang-shan. Effect of Crucible Surface Coating on Transport of As-grown Impurity in Multicrystalline Silicon[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(10): 2177-2182.

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石英坩埚表面涂层对铸造多晶硅生长中杂质传输的影响

Effect of Crucible Surface Coating on Transport of As-grown Impurity in Multicrystalline Silicon

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