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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (11): 2230-2234.

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用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究

齐晓光;雷青松;杨瑞霞;薛俊明;柳建平   

  1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300401;河北汉盛光电科技有限公司,衡水,053000
  • 出版日期:2013-11-15 发布日期:2021-01-20

Study on Preparation and Properties of a-Si∶H Thin Films for HIT Solar Cells

QI Xiao-guang;LEI Qing-song;YANG Rui-xia;XUE Jun-ming;LIU Jian-ping   

  • Online:2013-11-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能.研究表明,在硅烷浓度为5;时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性.作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92;的太阳电池.

关键词: RF-PECVD;非晶硅薄膜;硅烷浓度;HIT太阳电池

中图分类号: