摘要: 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能.研究表明,在硅烷浓度为5;时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性.作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92;的太阳电池.
中图分类号:
齐晓光;雷青松;杨瑞霞;薛俊明;柳建平. 用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2230-2234.
QI Xiao-guang;LEI Qing-song;YANG Rui-xia;XUE Jun-ming;LIU Jian-ping. Study on Preparation and Properties of a-Si∶H Thin Films for HIT Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(11): 2230-2234.