真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (11): 2304-2308.

真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究

闫小兵;张二鹏;贾长江;史守山;娄建忠;刘保亭

河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2013-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61306098,11074063);河北省自然科学基金(E2012201088、E2013201176);河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019);河北大学自然科学基金(2011-219)(11074066)

Effect of Vacuum Annealing Temperature on the Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

YAN Xiao-bing;ZHANG Er-peng;JIA Chang-jiang;SHI Shou-shan;LOU Jian-zhong;LIU Bao-ting

Online:2013-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火.研究了不同退火温度对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着退火温度的增加,薄膜的电阻率先减小后增大.透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500～ 800 nm可见光区平均透过率超过80;,且在350 nm附近表现出较强的紫外吸收特性.经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小,350 ℃最大达到3.91 eV.

中图分类号:

O484

闫小兵;张二鹏;贾长江;史守山;娄建忠;刘保亭. 真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2304-2308.

YAN Xiao-bing;ZHANG Er-peng;JIA Chang-jiang;SHI Shou-shan;LOU Jian-zhong;LIU Bao-ting. Effect of Vacuum Annealing Temperature on the Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(11): 2304-2308.

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