基于直流磁控溅射晶种层的ZnO纳米阵列的制备及性能研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (11): 2340-2345.

基于直流磁控溅射晶种层的ZnO纳米阵列的制备及性能研究

王璟;丁雨田;张杨;陈小焱;张增明;尚兴记

兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室,兰州,730050

出版日期:2013-11-15 发布日期:2021-01-20

Preparation and Properties of ZnO Nanorod Arrays Based on Seed-layer Film by DC Magnetron Sputtering

WANG Jing;DING Yu-tian;ZHANG Yang;CHEN Xiao-yan;ZHANG Zeng-ming;SHANG Xing-ji

Online:2013-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用直流反应磁控溅射法制备品种层薄膜,研究O2/Ar气体分压比和退火温度对品种层结构和微观形貌的影响.通过化学水浴沉积,在预制有晶种层的薄膜上制备ZnO纳米阵列结构,研究不同前驱体浓度和预制晶种层对纳米阵列生长的影响.结果表明,当O2/Ar中O2分压减少,薄膜均匀性较差,当Ar分压增加薄膜由于扩散而趋于平整.退火温度增加,晶粒尺寸增大,内应力降低.磁控溅射法预制的晶种层上生长的纳米棒垂直于衬底生长,(002)晶面的衍射峰强最高,说明纳米棒沿c轴择优取向.生长液的浓度对纳米棒的形貌影响显著,随着生长液浓度的升高,ZnO纳米阵列直径增大,顶端趋于平整的六棱柱结构.

中图分类号:

O484.1

王璟;丁雨田;张杨;陈小焱;张增明;尚兴记. 基于直流磁控溅射晶种层的ZnO纳米阵列的制备及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2340-2345.

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