超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (11): 2396-2400.

超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究

刘旭焱;崔明月;海涛;王爱华;蒋华龙

南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳,473061

出版日期:2013-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61306007);河南省科技攻关重点项目(132102210048);南阳师范学院专项项目(ZX2012017)

Study on Strain Relaxation in Ultrathin Global-strained Si Thin Films

LIU Xu-yan;CUI Ming-yue;HAI Tao;WANG Ai-hua;JIANG Hua-long

Online:2013-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品.实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料.

中图分类号:

TN304.2

刘旭焱;崔明月;海涛;王爱华;蒋华龙. 超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2396-2400.

LIU Xu-yan;CUI Ming-yue;HAI Tao;WANG Ai-hua;JIANG Hua-long. Study on Strain Relaxation in Ultrathin Global-strained Si Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(11): 2396-2400.

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