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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (2): 355-359.

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P型掺杂BaSnO3的电子结构和光学性能的第一性原理研究

胡诚;谭兴毅   

  1. 湖北民族学院理学院,恩施,445000;湖北民族学院理学院,恩施445000;西北工业大学理学院,凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,西安710129
  • 出版日期:2013-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61078057,51172183,51202195);湖北民族学院博士人才基金;湖北民族学院博士科研启动基金

First-principle Study on Electronic Structure and Optical Properties of P-type Doped BaSnO3

HU Cheng;TAN Xing-yi   

  • Online:2013-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 基于密度泛函理论,计算了Y以及In掺杂BaSnO3的稳定性、电子结构和光学性质.结果表明Y以及In掺杂BaSnO3体系结构稳定,且均为p型透明导电材料,在可见光区透过率大于85;,且Y以及In掺杂BaSnO3体系的导电性明显得到了改善.

关键词: 透明导电材料;电子结构;光学性质

中图分类号: