欢迎访问《人工晶体学报》官方网站，今天是
分享到：
人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (9): 1735-1740.
施俐君;郭莉薇;魏庆科;宋财根;胡晓琳;庄乃锋;林树坤;陈建中
E-mail Alert
RSS出版日期:2013-09-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2013-09-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文采用导模提拉法成功生长了Tb3Sc2Al3O12 (TSAG)晶体,并对所生长晶体进行了物相分析和单晶结构分析,探讨了多晶原料的烧结温度对晶体颜色的影响.Sc3+和Al3+的浓度分布测试表明,导模提拉法能较好地克服因分凝效应引起的Sc3+浓度分布不均,可以生长获得浓度分布均匀的TSAG晶体.磁光性能测试表明,Sc3+掺入对晶体在400～1100 nm波长范围内的磁光性能影响不大,所生长TSAG晶体的费尔德常数仅比Tb3Al5O12 (TAG)晶体低6; ～8;.
中图分类号:
施俐君;郭莉薇;魏庆科;宋财根;胡晓琳;庄乃锋;林树坤;陈建中. 导模提拉法生长Tb3Sc2Al3O12(TSAG)晶体及性质表征[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1735-1740.
| [1] | 林海鑫, 高德东, 王珊, 张振忠, 安燕, 张文永. 大尺寸直拉硅单晶生长的多物理场建模与优化[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 17-33. |
| [2] | 李泓沅, 孙敦陆, 张会丽, 罗建乔, 权聪, 程毛杰. 含镓石榴石系列大晶格常数磁光衬底单晶研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1657-1668. |
| [3] | 周霖涛, 赵涛, 孙志刚, 姜林文, 潘尚可, 潘建国, 郑燕青. 坩埚下降法生长2英寸镱掺杂钙铌镓石榴石单晶[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1669-1674. |
| [4] | 丁雨憧, 张灵, 李海林, 张月, 唐杨, 强铭, 林辉. 水平定向结晶法生长浓度渐变Yb∶YAG激光晶体及光谱性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1688-1698. |
| [5] | 王文凯, 潘秀红, 胡雨青, 刘学超, 陈小红, 陈锟, 方婧红, 贺欢, 倪津崎. GaFeO3∶Mg晶体的生长及磁学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1699-1704. |
| [6] | 覃佐燕, 金雷, 李文良, 谭俊, 何广泽, 武红磊. PVT法AlN晶体生长模式调控研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1542-1549. |
| [7] | 孙元龙, 胡子钰, 郑国宗. 大尺寸CH3NH3PbBr3晶体生长和光电性能表征[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1313-1318. |
| [8] | 陈鑫鑫, 韩佳力, 潘建国. 大尺寸高质量CsCu2I3晶体生长与发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1106-1111. |
| [9] | 李琳, 张沛雄, 谭俊成, 朱思祁, 尹浩, 李真, 陈振强. Er掺杂PbF2晶体的局域团簇结构与光谱性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1112-1120. |
| [10] | 凌昊, 徐乐, 陈思贤, 唐远之, 孙海滨, 郭学, 冯玉润, 胡强强. 溶液法生长大尺寸CsCu2I3钙钛矿单晶及其光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1121-1126. |
| [11] | 倪浩然, 陈亚, 王黎光, 芮阳, 赵泽慧, 马成, 刘洁, 张兴茂, 赵延祥, 杨少林. 热屏结构对300 mm半导体级单晶硅生长过程温度分布影响的数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1196-1211. |
| [12] | 于行, 赵琪, 齐小方, 马文成, 徐永宽, 胡章贵. 热交换法掺钛蓝宝石晶体生长过程中内辐射传热对晶体热应力的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1212-1221. |
| [13] | 王鸿雁, 王世武, 聂奕, 张行愚, 张芳, 许辉, 李瑞茂, 匡永飞. 大尺寸优质Cr3+∶BeAl2O4晶体生长与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(6): 947-952. |
| [14] | 施宇峰, 王鹏飞, 穆宏赫, 苏良碧. 尺寸效应对坩埚下降法生长氟化钙晶体影响机制的数值模拟分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(6): 973-981. |
| [15] | 艾家辛, 万洪平, 钱俊兵, 韦华. VGF法磷化铟单晶炉加热器对炉内热场分布影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 781-791. |
| 阅读次数 | ||||||
|
全文 |
|
|||||
|
摘要 |
|
|||||
