(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9铋层状铁电陶瓷结构与性能研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (9): 1831-1836.

(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9铋层状铁电陶瓷结构与性能研究

涂娜;江向平;李小红;傅小龙;杨帆

景德镇陶瓷学材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,景德镇333001

出版日期:2013-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51262009,51062005,91022027);江西省主要学科学术和技术带头人培养对象计划项目(2010DD00800);江西省高等学校"先进陶瓷材料"科技创新团队;江西省教育厅项目(GJJ13630)

Structure and Electrical Properties of (1-x) Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9 Bismuth Layer-structured Ferroelectric Ceramics

TU Na;JIANG Xiang-ping;LI Xiao-hong;FU Xiao-long;YANG Fan

Online:2013-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3 O12-xSrBi2 Nb2 O9(BIT-SBN,x=0,0.025,0.050,0.100,0.150,0.200)铋层状无铅压电陶瓷.系统研究了SrBi2 Nb2 O9掺杂对Bi4Ti3 O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;当SBN掺量为0.100时,样品具有最佳的电性能:d33=21 pC/N,相对密度ρ =98.1;,机电耦合系数kp=8.26;,εr=220,介电损耗tanδ =0.29;,剩余极化强度Pr=9.128 μC/cm2,Tc=594℃.同时,SBN的引入增强了样品的抗老化性和热稳定性.

中图分类号:

TQ174

涂娜;江向平;李小红;傅小龙;杨帆. (1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9铋层状铁电陶瓷结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1831-1836.

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