磁控溅射法制备硒化银薄膜及其磁电阻效应研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (11): 2892-2896.

磁控溅射法制备硒化银薄膜及其磁电阻效应研究

朱汉明;乐松

暨南大学物理系,广州510632;暨南大学思源实验室,广州510632

出版日期:2014-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11004083)

Magnetoresistance Effect of Silver Selenide Thin Films Fabricated by Magnetron Sputtering

ZHU Han-ming;YUE Song

Online:2014-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控溅射后退火的方式成功制备了硒化银薄膜,膜厚约为310 nm.X射线粉末衍射分析表明所制备薄膜为单相正交结构,伴随择优取向;比较不同退火温度的效果后发现300℃退火后的薄膜样品结晶最好.扫描电子显微镜、X射线能谱分析表明300℃退火后样品均匀致密,元素组分接近原始比例,是较为适宜的退火温度.低温磁电阻测试显示薄膜样品具有明显的正磁电阻效应,90K附近达到最大磁电阻值7.3;.霍尔系数测量得到薄膜样品室温载流子浓度与霍尔迁移率分别为2.2×1019 cm-3与221 cm2·V-1·s-1.

中图分类号:

O484.3

朱汉明;乐松. 磁控溅射法制备硒化银薄膜及其磁电阻效应研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(11): 2892-2896.

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