退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (2): 269-274.

退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响

何亦辉;介万奇;周岩;刘惠敏;徐亚东;王涛;查钢强

西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2014-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51202197);国家重点基础研究专项基金(2011CB610406);“111”引智基金(B08040)

Effects of Annealing on the Optical and Electrical Properties of CdZnTe Crystals

HE Yi-hui;JIE Wan-qi;ZHOU Yan;LIU Hui-min;XU Ya-dong;WANG Tao;ZHA Gang-qiang

Online:2014-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd/Zn和Te气氛退火后,其光电性能的变化规律.研究表明,在Cd/Zn气氛下退火180 h后,CdZnTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级,晶体的体电阻率由1010 Ω·cm减小至～107 Ω· cm.同时发现,Cd/Zn源区的温度决定了退火后晶体在500～4000cm-1范围内红外透过率曲线的平直状态,这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关,而与晶体中的载流子浓度和夹杂/沉淀相状态无关.在Te气氛下退火时,发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg(ρ)呈近似线性关系,同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化.

中图分类号:

TQ304

何亦辉;介万奇;周岩;刘惠敏;徐亚东;王涛;查钢强. 退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(2): 269-274.

HE Yi-hui;JIE Wan-qi;ZHOU Yan;LIU Hui-min;XU Ya-dong;WANG Tao;ZHA Gang-qiang. Effects of Annealing on the Optical and Electrical Properties of CdZnTe Crystals[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(2): 269-274.