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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (2): 321-326.

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采用低温PL谱研究探测器级CdZnTe晶体

李阳;介万奇;王涛;杨帆;殷子昂;陈曦   

  1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
  • 出版日期:2014-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50902114);国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ040082)

Study on Detector Grade CdZnTe Crystal by Low Temperature Photoluminescence Spectrum

LI Yang;JIE Wan-qi;WANG Tao;YANG Fan;YIN Zi-ang;CHEN Xi   

  • Online:2014-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用低温光致发光谱技术研究了核辐射探测器用高阻CdZnTe晶体.发现PL谱中的三个特征峰均与晶体质量有关,其中(D0,X)峰FWHM值和IDAP/I(D0.X)与晶格完整性和浅能级缺陷密度有关联,D2峰则与位错密度密切相关.采用双晶X射线摇摆曲线和位错腐蚀坑密度对此表征进行了验证.低温PL谱测试结果显示晶体质量较高的CdZnTe晶片,其探测器的能谱分辨率也相对较高.

关键词: CdZnTe;晶体质量;光致发光谱;双晶X射线摇摆曲线;位错腐蚀坑密度

中图分类号: