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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (3): 693-697.

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SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究

肖强;何雪莉   

  1. 西安工业大学机电工程学院,西安,710032;陕西师范大学计算机科学学院,西安,710062
  • 出版日期:2014-03-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    陕西省教育厅项目资助(12JK0664);陕西省特种加工重点实验室资助(13JS044);陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室访问学者专项计划项目;陕西省特种加工重点实验室开放基金;校长基金项目(XAGDXJJ1007)

Simulation Analysis and Experimental Research of High Efficiency and Low Damage Processing Mechanism for SiC Single Crystal Chip

XIAO Qiang;HE Xue-li   

  • Online:2014-03-15 Published:2021-01-20

摘要: SiC单晶作为理想的半导体材料,其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点.本文基于SiC单晶材料去除机理,通过有限元方法对材料去除方式及应力进行了仿真及实验验证.仿真与实验的结果表明,基于超声复合研磨加工SiC单晶片,粗糙度降低达50;,材料去除率提高达100;.

关键词: SiC单晶片;表面粗糙度;材料去除率

中图分类号: