基于CVD自组装生长氧化锌半导体纳米结构的光电导紫外探测器研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (8): 1901-1905.

基于CVD自组装生长氧化锌半导体纳米结构的光电导紫外探测器研究

刘晗;赵小龙;彭文博;贺永宁

西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049

出版日期:2014-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中央高校基本科研业务费专项资金(xkjc2014011)

Study on Photoconductive UV Detector Based on Nanostructures ZnO Semiconductor by Self-assembly Growth

LIU Han;ZHAO Xiao-long;PENG Wen-bo;HE Yong-ning

Online:2014-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 报道了一种基于自组装生长ZnO纳米结构的光电导型紫外探测器.首先,在石英衬底上制备银叉指电极,然后溅射ZnO纳米薄膜形成一种共面光电导型金属-半导体-金属(MSM)结构,再利用低压CVD生长方法进行ZnO纳米线的原位生长,从而在器件顶部形成了ZnO纳米线垂直阵列和其上交错排列ZnO纳米线所构成的双层ZnO纳米线结构.这种器件底部的ZnO薄膜既是MSM光电导器件的电荷传输层,也同时作为上层ZnO纳米结构自组装生长的籽晶层,顶部的ZnO纳米结构层作为紫外光敏感层,测试结果表明该器件具有光响应速度快、光响应电流大和良好的紫外响应可分辨特性.研究表明,相比于单根ZnO纳米线光电导紫外器件而言,基于ZnO纳米结构膜层的光电导紫外探测器能够大幅度提高可测光响应电流.

中图分类号:

TN304

刘晗;赵小龙;彭文博;贺永宁. 基于CVD自组装生长氧化锌半导体纳米结构的光电导紫外探测器研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(8): 1901-1905.

LIU Han;ZHAO Xiao-long;PENG Wen-bo;HE Yong-ning. Study on Photoconductive UV Detector Based on Nanostructures ZnO Semiconductor by Self-assembly Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(8): 1901-1905.

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