摘要： 在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征.结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶粒尺寸也增大.XRD测试结果表明:间隔法可以控制薄膜生长的择优取向.Raman光谱测试结果表明:采用间隔法且断源时间控制在30 s时,生长温度900℃,H2∶ SiH4 =400∶20 sccm时生长Si薄膜的Raman半峰宽最小.
中图分类号:
高战军;陈治明;李连碧;赵萌;黄磊. 6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(8): 1965-1969.
GAO Zhan-jun;CHEN Zhi-ming;LI Lian-bi;ZHAO Meng;HUANG Lei. Growth and Structural Characterization of Polycrystalline Silicon Film Pulsed on 6H-SiC Substrate by HWCVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(8): 1965-1969.
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