CdTe量子点生长速率的参数研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (8): 1981-1985.

CdTe量子点生长速率的参数研究

姜青松;朱月华;邢海东;施丰华;卓宁泽;王海波

南京工业大学材料科学与工程学院,南京,210009;南京工业大学电光源材料研究所,南京,210015

出版日期:2014-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA03A107);2013年科技部科研院所专项(2013EG111218);江苏省科技支撑计划(BE2012005);江苏高校优势学科建设工程

Study on Growth Rate Parameters of CdTe Quantum Dots

JIANG Qing-song;ZHU Yue-hua;XING Hai-dong;SHI Feng-hua;ZHUO Ning-ze;WANG Hai-bo

Online:2014-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以NaTeO3为碲源,还原型谷胱甘肽(GSH)为稳定剂,一步合成CdTe量子点.研究了参与反应回流的镉与碲摩尔比和Cd2+浓度对CdTe量子点生长速率的影响,并用荧光光谱、X射线衍射光谱及透射电子显微镜对其性能进行表征.结果表明:GSH稳定的CdTe量子点具有闪锌矿结构、球形形貌;在pH =8.5,n(Cd2+)∶ n(GSH)=1∶1.2,C(Cd2)=0.67 mmol/L,n(Cd)∶ n(Te)=6∶1时,CdTe量子点荧光量子效率最高可达51.53;,并且量子点生长的速率在初期的1h内达到最高点,并随着时间的延长呈下降趋势.

中图分类号:

O611.4

姜青松;朱月华;邢海东;施丰华;卓宁泽;王海波. CdTe量子点生长速率的参数研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(8): 1981-1985.

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