基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (8): 1986-1990.

基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究

郑定山;邹旭明;蒋涛

长江大学工程技术学院,荆州,434020;武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072

出版日期:2014-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
长江大学工程技术学院科学研究发展基金资助项目(13j0801)

Fabrication and Electrical Properties of InAs Nanowires Field-Effect Transistors

ZHENG Ding-shan;ZOU Xu-ming;JIANG Tao

Online:2014-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.

中图分类号:

TN304

郑定山;邹旭明;蒋涛. 基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(8): 1986-1990.

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