GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (10): 2632-2640.

GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应

徐家跃;王冰心;金敏;房永征

上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418

出版日期:2015-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市人才发展基金(405ZK100012);上海市科委项目(09530500800)

Growth and Doping Effects of GaAs Crystals by the Pulling-down Method

XU Jia-yue;WANG Bing-xin;JIN Min;FANG Yong-zheng

Online:2015-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 作为第二代半导体材料,GaAs晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺.本文总结了GaAs晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了GaAs晶体坩埚下降法生长的研究成果.坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为GaAs晶体产业化的重要途径.掺杂不仅能调节GaAs晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响.本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂GaAs晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用.

中图分类号:

O781

徐家跃;王冰心;金敏;房永征. GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(10): 2632-2640.

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