低限流下含Ag电极的BiFeO3薄膜的阻变开关特性

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 3014-3018.

低限流下含Ag电极的BiFeO3薄膜的阻变开关特性

闫小兵;李玉成;闫铭;杨涛;贾信磊;陈英方;赵建辉;李岩;娄建忠

河北大学电子信息工程学院,河北省数字医疗工程重点实验室,保定071002

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61306098);河北省自然科学基金(E2012201088,E2013201176);中国博士后项目研究基金(2013M530754);河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019);河北省高等学校拔尖青年基金(BJ2014008);河北大学研究生创新资助项目(X2015074);河北大学教改课题(JX08-ZD-14)

Low Current Resistive Switching Behavior in BiFeO3 Thin Films with Ag Electrode

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO3 (BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗.在0.5 μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8 ×104 s,有较好的保持特性.分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开.

中图分类号:

O484

闫小兵;李玉成;闫铭;杨涛;贾信磊;陈英方;赵建辉;李岩;娄建忠. 低限流下含Ag电极的BiFeO3薄膜的阻变开关特性[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3014-3018.

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