CdMoO4∶W6+晶体电子结构的模拟计算研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 3079-3082.

CdMoO4∶W6+晶体电子结构的模拟计算研究

严非男;王希恩;陈俊

上海理工大学理学院,上海,200093

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
沪江基金研究基地专项资助(B14004)

Simulation Study on the Electronic Structures of the CdMoO4∶ W6+ Crystal

YAN Fei-nan;WANG Xi-en;CHEN Jun

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO4∶W6+晶体的电子结构.计算结果显示,在CdMoO4∶W6+晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25ev)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO4晶体在500～ 600 nm区间的发射带的起源.

中图分类号:

O775

严非男;王希恩;陈俊. CdMoO4∶W6+晶体电子结构的模拟计算研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3079-3082.

YAN Fei-nan;WANG Xi-en;CHEN Jun. Simulation Study on the Electronic Structures of the CdMoO4∶ W6+ Crystal[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(11): 3079-3082.

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CdMoO4∶W6+晶体电子结构的模拟计算研究

Simulation Study on the Electronic Structures of the CdMoO4∶ W6+ Crystal

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