反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO2晶体的研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 3103-3107.

反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO2晶体的研究

张旺玺;梁宝岩;王艳芝;张艳丽;孙玉周;穆云超

中原工学院材料与化工学院,郑州,450007;中原工学院建筑工程学院,郑州,450007

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11472316);河南省教育厅重点项目(13A430132,151RTSTHN004);河南省基础与前沿技术研究计划(132300410164);河南省省院科技合作项目(122106000051,142106000193);河南省教育厅自然科学研究计划项目资助(12A430024,13A430128,14A430007)

Heteroepitaxial Growth of SiO2 Crystal on Surface of Carbon Based Materials by Reactive Sintering

ZHANG Wang-xi;LIANG Bao-yan;WANG Yan-zhi;ZHANG Yan-li;SUN Yu-zhou;MU Yun-chao

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅(SiO2)晶体的外延生长.采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱仪(EDS)分析和研究了碳材料表面生成物的物相组成与显微形貌,探讨了SiO2晶体的外延生长机理.研究结果表明,不同结构碳材料表面能外延生长SiO2晶体,但形态不同.在碳纤维表面形成颗粒和短晶须状SiO2晶体,在石墨片上形成凸起团聚状SiO2晶体,而在金刚石表面首先形成了Si-O涂层,然后在Si-O涂层上生长棒状SiO2体.碳材料外延生长SiO2晶体是首先通过热蒸发法使Si沉积到碳材料表面,然后Si与体系中的O反应形成SiO2晶核,在不同结构碳材料表面生长SiO2晶体.

中图分类号:

TG146.642

张旺玺;梁宝岩;王艳芝;张艳丽;孙玉周;穆云超. 反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO2晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3103-3107.

ZHANG Wang-xi;LIANG Bao-yan;WANG Yan-zhi;ZHANG Yan-li;SUN Yu-zhou;MU Yun-chao. Heteroepitaxial Growth of SiO2 Crystal on Surface of Carbon Based Materials by Reactive Sintering[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(11): 3103-3107.

[1]	梁宝岩;韩丹辉;张旺玺;刘英;王艳芝;杨黎;张宗超. 微波-熔盐热处理在金刚石表面镀Ti和TiC涂层[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(4): 836-841.
[2]	刘可心;金松哲;杨晨. 机械活化-放电等离子烧结制备Ti3AlC2块体材料[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3099-3102.