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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3401-3405.
葛阳;孙顶;张力;张晓丹;许盛之;张德坤;王奉友;魏长春;赵颖
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RSS出版日期:2015-12-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2015-12-15
Published:2021-01-20
摘要： 主要研究了化学水浴法沉积CdS薄膜中氨水浓度对薄膜材料特性的影响.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计(UV-Vis)等测试手段对制备的CdS薄膜的结构和光学特性进行了分析.结果表明:不同的氨水浓度条件下均得到立方相CdS薄膜,薄膜沿(111)面择优取向生长.随着氨水浓度增加时CdS薄膜表面逐渐变得致密光滑,CdS薄膜的透过率增强和带隙变宽.在氨水浓度为0.10 mol/L时制备出材料特性最佳的CdS薄膜,其表面紧凑致密无针孔,颗粒大小均匀,将其应用于CZTSe薄膜太阳电池中的缓冲层材料,得到光电转化效率为3.12;的CZTSe薄膜太阳电池(该电池未经任何后硒化处理工艺).
中图分类号:
葛阳;孙顶;张力;张晓丹;许盛之;张德坤;王奉友;魏长春;赵颖. 氨水浓度对化学水浴法制备CdS缓冲层及CZTSe电池性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(12): 3401-3405.
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