人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3582-3587.
蒋志;李志山;杨敏;刘思佳;刘涛;郝瑞亭;王书荣
JIANG Zhi;LI Zhi-shan;YANG Min;LIU Si-jia;LIU Tao;HAO Rui-ting;WANG Shu-rong
摘要: 采用单质靶磁控溅射制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜,研究了薄膜的元素组分、升温速率、硫化温度对薄膜表面平整性以及晶粒尺寸的影响.通过SEM与AFM表征薄膜的表面形貌与表面粗糙度,用EDS检测薄膜的元素组分.所制备的样品的Cu/(Zn+ Sn)、Zn/Sn处于最优范围.通过XRD及Raman检测薄膜的结晶情况以及薄膜中的二次相,经上述测试分析判定CZTS薄膜品质良好.最终制备出以CZTS为吸收层的薄膜太阳电池,并用Ⅰ~V特性检验了CZTS电池性能参数,得到效率为0.83;的CZTS薄膜太阳电池,并通过改进硫化退火工艺将效率提高至1.58;.
中图分类号: