高Al组份AlGaN/GaN异质外延材料生长及肖特基势垒二极管制备

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3597-3600.

高Al组份AlGaN/GaN异质外延材料生长及肖特基势垒二极管制备

王进军;王侠

陕西科技大学理学院,西安,710021;西安科技大学电气与控制工程学院,西安,710054

出版日期:2015-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
2015年陕西省教育厅专项科研计划项目(15JK1096)

Heteroepitaxial Growth of High Al Fraction AlGaN/GaN and Preparation of Schottky Barrier Diodes

WANG Jin-jun;WANG Xia

Online:2015-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用MOCVD制备了带有AlN插入层的高Al组份AlGaN/GaN异质结构外延材料,在此外延材料的基础上利用磁控溅射Ti/Al/Ti/Au欧姆接触电极,利用EB蒸镀Ni/Au肖特基接触电极制备了AlGaN/GaN SBD,对外延材料和器件的性能进行了相关测试,测试结果表明:器件开启电压约为1.1V,-10 V时反向漏电流小于0.5 μA,反向击穿电压68.3 V,器件具有非常明显的整流特性,同时有AlN插入层的器件的正向、反向特性均优于不带AlN的器件,AlN插入层可以有效地提高器件的性能.

中图分类号:

TN304

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