坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3617-3621.

坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究

吴敬尧;朱世富;赵北君;何知宇;陈宝军;黄巍;孙宁;林莉;王黎罡

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2015-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51172149)

Effect of Crucible Materials on the Surface of CdSiP2 Crystal

Online:2015-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对CdSiP2晶体生长过程中,晶体表面与石英坩埚内壁严重粘连甚至开裂的问题,研究了柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚生长CdSiP2晶体的新工艺.运用X射线能量色散谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS)分别对两种坩埚材料生长的CdSiP2晶体表面元素成分和化学状态进行测试发现,采用石英坩埚生长的CdSiP2晶体表面主要组分元素为33.31;的Si和65.63;的O,晶体表面Si 2p的结合能为103.2 eV,与文献中SiO2的Si 2p结合能一致.进一步的分析表明,高温CdSiP2熔体离解产物与石英材料反应生成SiO2界面层是导致晶体严重粘连,甚至开裂成碎块的重要原因;采用柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚能有效解决晶体与器壁的粘连,生长的CdSiP2晶体完整较好,表面层各组分元素含量接近CdSiP2理论化学配比1:1:2,质量较高.

中图分类号:

O782

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