种晶表面粗糙度及边部形态对MPCVD法生长单晶金刚石的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 316-322.

种晶表面粗糙度及边部形态对MPCVD法生长单晶金刚石的影响

廖佳;陈美华;吴改;刘剑红;孟国强

中国地质大学(武汉)珠宝学院,武汉,430074;中国地质大学(武汉)地球科学学院,武汉,430074

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20

Influence of Seed Crystal Surface Roughness and Edge Appearance on Synthesizing Single Crystal Diamond by MPCVD

LIAO Jia;CHEN Mei-hua;WU Gai;LIU Jian-hong;MENG Guo-qiang

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对种晶的表面粗糙度和边部形态对MPCVD法生长金刚石单晶的影响进行了研究.结果表明,当样品表面粗糙度Ra值达到0.0066 μm时,单晶金刚石沉积层已经可以呈现出较高的结晶质量.当表面粗糙度Ra值达到0.0162μm后,种晶的中心区域受到的影响较小,但种晶边缘区域的沉积却受到了较明显的影响.研究边部形态的实验中,在同一种晶的不同区域抛磨出45°边棱和90°边棱,生长后分别对这两个区域进行了拉曼光谱测试,测试结果表明,90°边棱处1332 cm-1金刚石本征峰的半高宽较小,沉积层质量较好,初步推测90°是更适合的种晶边棱角度.

中图分类号:

O782

廖佳;陈美华;吴改;刘剑红;孟国强. 种晶表面粗糙度及边部形态对MPCVD法生长单晶金刚石的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 316-322.

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