热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 329-336.

热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟

关小军;张向宇;潘忠奔;王进;曾庆凯

山东大学材料科学与工程学院,济南250061;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东交通学院航空学院,济南,250357

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)

Simulation on Effect of Heat Shield Position on the Melt and Solid Liquid Interface Cz Silicon

GUAN Xiao-jun;ZHANG Xiang-yu;PAN Zhong-ben;WANG Jin;ZENG Qing-kai

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对φ200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化.

中图分类号:

关小军;张向宇;潘忠奔;王进;曾庆凯. 热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 329-336.

GUAN Xiao-jun;ZHANG Xiang-yu;PAN Zhong-ben;WANG Jin;ZENG Qing-kai. Simulation on Effect of Heat Shield Position on the Melt and Solid Liquid Interface Cz Silicon[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(2): 329-336.

[1]	黄丽;阮永丰. 6H-SiC单晶的中子辐照损伤及其退火特性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1794-1799.
[2]	杨金凤;商继芳;李清连;毛乾辉;郝好山;孙军. 钽酸锂晶体高温富锂扩散工艺的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1010-1015.
[3]	方声浩;谢华;杨顺达;庄巍;叶宁. ZnGeP2晶体2～2.5μm点缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2169-2173.
[4]	戴生伢;黄振进;柳祝平;高长有;王东海;庞旭. 一步法消除蓝宝石晶体材料的内部应力[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(10): 1860-1862.
[5]	廖江河;李勇;谭德斌;佘彦超;王应;邓韬. CH4NS掺杂金刚石的高压合成及其色心研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(9): 1626-1630.
[6]	李清连;商继芳;吴婧;张玲;孙军. 钽酸锂电光调Q晶体开关的制备研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(5): 812-816.
[7]	王知权;王宇;李想;倪铭颢;陈晔;李波. NV色心浓度与退火温度的Boltzmann模型[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(5): 822-826.
[8]	徐永宽;金雷;程红娟;史月增;张丽;齐海涛. 不同颜色AlN单晶缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(7): 1340-1345.
[9]	周琦;王虎;齐红基;伍建春. KDP晶体中铝取代钾点缺陷第一性原理计算[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(6): 1157-1162.
[10]	范春丽;程佑法;刘继义;王岳;朱红伟;马霄. 钻石切工溯源方法的研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(6): 1191-1196.
[11]	谢素君;欧阳仕粮;邓科;赵鹤平. 基于有限元法与超胞法的结构声表面波缺陷态分析[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(2): 381-384.
[12]	赵张瑞;朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;杨登辉;刘伟;谢虎;吴嘉琪. 退火和电子辐照复合处理对ZnGeP2单晶性能的改进研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(7): 1723-1726.
[13]	曾体贤;胡永琴;杨辉;王茂州;张敏;樊龙;吴卫东. ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(6): 1508-1513.
[14]	吴小娟;赵欣. AgGaS2多晶合成工艺改进研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(6): 1608-1610.
[15]	刘博;臧传义;原亨馨;陈孝洲;李明. 金刚石大单晶中金属包裹体形态变化的研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(5): 1191-1197.