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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 361-367.

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Ar气流量对磁控溅射制备微晶硅薄膜微观结构及光/电学性能的影响

乔泳彭;蒋百灵   

  1. 西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048
  • 出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51272158)

Influence of Ar Flow Rates on the Microstructure and Optical/Electrical Properties of μc-Si Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering

QIAO Yong-peng;JIANG Bai-ling   

  • Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用射频磁控溅射法在不同Ar气流量条件下制备了多组微晶硅薄膜,研究了Ar气流量对薄膜微观结构及光/电学性能的影响.结果表明:当Ar气流量的较小时,微晶硅薄膜的沉积速率较高,薄膜的晶化率、晶粒尺寸以及粗糙度处于较好的生长态势.同时,薄膜的光学性能发生明显变化,对于长波长范围内薄膜的光学透过率随Ar气流量的增大逐渐下降.薄膜的电学性能表现为随Ar气流量的增大,少子寿命呈现出先增大后大幅降低的变化趋势.

关键词: 射频磁控溅射;Ar气流量;微晶硅薄膜

中图分类号: