Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 420-424.

Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究

邓书康;董国俊;杨晓坤;刘虹霞;侯德东;李明

云南师范大学太阳能研究所,教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,昆明650500

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家国际科技合作专项项目(2011DFA62380);云南省自然科学基础研究项目(2010DC053)

Study on the Crystallization Properties of Poly-Si Films Induced Crystallization by Ge Capping Layer

DENG Shu-kang;DONG Guo-jun;YANG Xiao-kun;LIU Hong-xia;HOU De-dong;LI Ming

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5h.采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究.结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著.具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm.将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm.与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃.

中图分类号:

TM914.4

邓书康;董国俊;杨晓坤;刘虹霞;侯德东;李明. Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 420-424.

DENG Shu-kang;DONG Guo-jun;YANG Xiao-kun;LIU Hong-xia;HOU De-dong;LI Ming. Study on the Crystallization Properties of Poly-Si Films Induced Crystallization by Ge Capping Layer[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(2): 420-424.

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