过渡层(SiO2,TiO2)对F掺杂SnO2薄膜的光电性能影响研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 425-429.

过渡层(SiO2,TiO2)对F掺杂SnO2薄膜的光电性能影响研究

高赟;赵高扬;任洋

西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048;西安理工大学现代分析测试中心,西安,710048

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51372198);陕西省科技计划资助项目(国际合作)(2013KW14-01)

Effect of Transition Layers(SiO2, TiO2) on the Photoelectric Properties of F Doped SnO2 Thin Films

GAO Yun;ZHAO Gao-yang;REN Yang

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含SiO2过渡层与TiO2过渡层的玻璃上制备了F掺杂SnO2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂SnO2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂SnO2膜层的光电性能的影响.结果表明,过渡层种类对F掺杂SnO2薄膜各项性能影响很大,在SiO2薄膜过渡层上制备的F掺杂SnO2薄膜晶粒最小且表面致密,在TiO2过渡层制备的F掺杂SnO2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂SnO2薄膜较为疏松,以SiO2为过渡层制备的F掺杂SnO2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9;,电阻率为5.33×10-4 Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂SnO2薄膜.

中图分类号:

O484

高赟;赵高扬;任洋. 过渡层(SiO2,TiO2)对F掺杂SnO2薄膜的光电性能影响研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 425-429.

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