InP纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能的研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 441-446.

InP纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能的研究

蒋涛;郑定山

长江大学工程技术学院,荆州,434020;长江大学工程技术学院,荆州434020;武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
长江大学工程技术学院科学研究发展基金资助项目(13j0801)

Fabrication and Electrical Properties of InP Nanowires Field-Effect Transistors

JIANG Tao;ZHENG Ding-shan

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用化学气相沉积法在Si/SiO2衬底上生长出了InP纳米线,制备了基于InP纳米线的底栅场效应晶体管并研究了其电输运特性.对不同生长温度器件的阈值电压、亚阈值斜率、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和比较.结果表明,生长温度对InP纳米线的形貌影响较大.800℃生长温度的InP纳米线性能较好,该器件阈值电压约为-8.5V,亚阈值斜率为142.4 mV/decade,跨导为258.6 nS,开关比＞106,场效应迁移率高达177.8cm2/(V·s),载流子浓度达2.1×101s cm-3.

中图分类号:

TN304

蒋涛;郑定山. InP纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 441-446.

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