100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 567-570.

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100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究

高汉超;尹志军;张朱峰

南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20

Research on Growth Stability Control of 100 mm GaAs PHEMT Epitaxial Material

GAO Han-chao;YIN Zhi-jun;ZHANG Zhu-feng

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了100 mm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制.通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性.12个样品方阻的标准差为0.53;,全部偏差1.66;.通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平.

中图分类号:

TN304

高汉超;尹志军;张朱峰. 100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 567-570.

GAO Han-chao;YIN Zhi-jun;ZHANG Zhu-feng. Research on Growth Stability Control of 100 mm GaAs PHEMT Epitaxial Material[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(2): 567-570.

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100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究

Research on Growth Stability Control of 100 mm GaAs PHEMT Epitaxial Material

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