金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 939-946.

金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响

郭一欣;陈菲;任晓荣;程文娟

华东师范大学物理系,上海,200241;齐鲁工业大学电气工程与自动化学院,济南,250353

出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-20

Effect of Metal Precursor Ratio and Sulfurization Temperature on the Properties of Cu-Sn-S Thin Films

GUO Yi-xin;CHEN Fei;REN Xiao-rong;CHENG Wen-juan

Online:2015-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4 ～2.0的金属前驱体薄膜.经过400℃、450℃和500 ℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征.结果表明:硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大.当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01 eV.过高的Cu/Sn化学计量比或硫化温度都会导致Cu3SnS4或Cu4SnS4的出现.

中图分类号:

O484

郭一欣;陈菲;任晓荣;程文娟. 金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 939-946.

GUO Yi-xin;CHEN Fei;REN Xiao-rong;CHENG Wen-juan. Effect of Metal Precursor Ratio and Sulfurization Temperature on the Properties of Cu-Sn-S Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(4): 939-946.

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