制约硅晶片减薄因素研究分析

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (7): 1719-1724.

制约硅晶片减薄因素研究分析

刘腾云;葛培琪;高玉飞

山东大学机械工程学院,济南,250061;山东大学机械工程学院,济南250061;山东大学高效洁净机械制造教育部重点实验室,济南250061

出版日期:2015-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51205234);山东省自然科学基金(ZR2014EEM034)

Research on the Factors Limiting to Reduce the Thickness of Silicon Wafers

LIU Teng-yun;GE Pei-qi;GAO Yu-fei

Online:2015-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 随着硅晶片薄型化发展,减少硅晶片厚度已成为降低芯片制造成本的重要措施.但在硅晶片制造加工过程中,许多因素制约了其减薄.针对硅晶片减薄问题,总结分析了制约硅晶片减薄因素,重点阐述了硅晶片厚度与硅晶片的断裂强度、刚度、翘曲度、固有频率的关系,分析了减小硅晶片厚度对硅晶片加工、检测和运输的影响,并对硅晶片厚度标准化问题进行了讨论,最后得到了制约硅晶片减薄的关键因素.

中图分类号:

O786

刘腾云;葛培琪;高玉飞. 制约硅晶片减薄因素研究分析[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(7): 1719-1724.

LIU Teng-yun;GE Pei-qi;GAO Yu-fei. Research on the Factors Limiting to Reduce the Thickness of Silicon Wafers[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(7): 1719-1724.

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