人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (7): 1838-1842.
魏颖娜;卜景龙;魏恒勇;崔燚;于云;董占亮
出版日期:
2015-07-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
WEI Ying-na;BU Jing-long;WEI Heng-yong;CUI Yi;YU Yun;DONG Zhan-liang
Online:
2015-07-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用四氯化钛的无水乙醇溶液为钛源,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为成膜助剂及还原助剂,利用碳热还原氮化技术,在N2气氛下经1300℃进行还原氮化5h制备出TiN薄膜.采用XRD和SEM研究了PVP分子量及其用量对TiN薄膜微观结构的影响.结果发现,随着PVP分子量增大,薄膜中TiN晶体沿(111)面择优生长趋势减小,PVP分子量为1300000时薄膜中TiN晶粒尺寸较大,晶界减少.当PVP用量由钛/碳摩尔比为1∶10增加到1∶12时,TiN薄膜裂纹减少,而增至1∶14时,TiN薄膜中气孔增多.TiN薄膜的生长过程为:TiN颗粒状晶核逐渐生长成棒状,然后继续生长形成片状三角形或六边形,最后呈现出三角锥或六棱台形.
中图分类号:
魏颖娜;卜景龙;魏恒勇;崔燚;于云;董占亮. PVP对碳热还原氮化法制备TiN薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(7): 1838-1842.
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