人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (9): 2577-2582.
吴孔平;慈能达;汤琨;叶建东;朱顺明;顾书林
WU Kong-ping;CI Neng-da;TANG Kun;YE Jian-dong;ZHU Shun-ming;GU Shu-lin
摘要: 基于第一性原理GGA+U方法研究了Zn1-xCdxO合金的品格常数以及自发极化随Cd组分x的变化关系,其中极化特性的计算采用Berry-phase方法,同时计算了禁带宽度随Cd组分x的变化关系,并得到了能隙弯曲参数0.69.此外,通过计算宏观平均静电势的方法得到了(5 +3)Cd0.25Cd0.750/ZnO超晶格界面处的价带偏差为0.13 eV,导带偏差与价带偏差的比值为4/13,并且Zn1-xCdxO/ZnO界面两侧能带呈现Ⅰ型排列,这些研究结果将对Zn1-xCdxO/ZnO界面二维电子气的设计与优化起到重要作用.
中图分类号: