Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的结构演变和发光性能

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (11): 2561-2566.

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Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的结构演变和发光性能

孙智;谢建军;王宇;施鹰;雷芳

四川工商职业技术学院轻化工程系,四川,611830;上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心,上海,200444;上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心,上海200444;上海宇昂水性新材料科技有限公司,上海200124

出版日期:2016-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市科委能力建设专项基金(14520500300);国家自然科学基金青年基金(21301115)

Structure Evolution and Luminescent Properties of Tb∶Lu2SiO5 Optical Thin Films

SUN Zhi;XIE Jian-jun;WANG Yu;SHI Ying;LEI Fang

Online:2016-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb3+离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu2SiO5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu2SiO5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征.研究结果表明Tb∶Lu2SiO5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100 ℃时晶化完全.Tb∶Lu2SiO5的发光性能表现为Tb3+离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J =6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480～650 nm和350～470 nm),激发主峰位于～240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射.研究表明Tb3掺杂浓度对Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol;的Tb3+时,Tb∶Lu2SiO5薄膜的发光强度最强.

中图分类号:

O484

孙智;谢建军;王宇;施鹰;雷芳. Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的结构演变和发光性能[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(11): 2561-2566.

SUN Zhi;XIE Jian-jun;WANG Yu;SHI Ying;LEI Fang. Structure Evolution and Luminescent Properties of Tb∶Lu2SiO5 Optical Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(11): 2561-2566.

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Structure Evolution and Luminescent Properties of Tb∶Lu2SiO5 Optical Thin Films

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