人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (11): 2561-2566.
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孙智;谢建军;王宇;施鹰;雷芳
出版日期:
2016-11-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
SUN Zhi;XIE Jian-jun;WANG Yu;SHI Ying;LEI Fang
Online:
2016-11-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb3+离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu2SiO5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu2SiO5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征.研究结果表明Tb∶Lu2SiO5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100 ℃时晶化完全.Tb∶Lu2SiO5的发光性能表现为Tb3+离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J =6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480~650 nm和350~470 nm),激发主峰位于~240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射.研究表明Tb3掺杂浓度对Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol;的Tb3+时,Tb∶Lu2SiO5薄膜的发光强度最强.
中图分类号:
孙智;谢建军;王宇;施鹰;雷芳. Tb∶Lu2SiO5光学薄膜的结构演变和发光性能[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(11): 2561-2566.
SUN Zhi;XIE Jian-jun;WANG Yu;SHI Ying;LEI Fang. Structure Evolution and Luminescent Properties of Tb∶Lu2SiO5 Optical Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(11): 2561-2566.
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