氧化石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (11): 2634-2638.

氧化石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

陈红任;孙和鑫;朱春城

哈尔滨师范大学化学化工学院,哈尔滨,150025

出版日期:2016-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
黑龙江省教育厅科技项目(1254CGZH35);国家自然科学基金(51572064)

Determination of Copper Ion by Cyclic Voltammetry with Graphene Oxide Modified Carbon Electrode

CHEN Hong-ren;SUN He-xin;ZHU Chun-cheng

Online:2016-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为.实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液pH值为3.0,扫描速率为120 mV/s测定铜离子时为最优实验条件,氧化峰电流与铜离子浓度在4.0×10-8 mol/L～ 1.0×10-3 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.559×10-8 mol/L.氧化石墨烯修饰碳糊电极对铜离子的测定表现出良好的重现性与稳定性.

中图分类号:

O657

陈红任;孙和鑫;朱春城. 氧化石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(11): 2634-2638.

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