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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (12): 2902-2907.

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Sb-Na共掺p型ZnO的第一性原理研究

谭兴毅;李强;朱永丹;左安友   

  1. 湖北民族学院理学院,恩施,445000
  • 出版日期:2016-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    湖北省自然科学基金(2014CFB342,2014CFB619);湖北民族学院博士科研启动基金(MY2013B020)

First-principles Study of p-type ZnO Codoped with Sb-Na

TAN Xing-yi;LI Qiang;ZHU Yong-dan;ZUO An-you   

  • Online:2016-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 运用密度泛函理论,计算了Sbzn、Nazn、Sbzn-nNazn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现Sbzn、Nazn、Sbzn-nNazn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体系的固溶度.能带结构表明,SbZn体系为n型间接带隙半导体材料;NaZn、Sbzn-2NaZn体系为p型半导体材料;Sbzn-NaZn、SbZn-3NaZn体系为本征半导体材料.对p型半导体材料体系的导电性能研究发现,Sbzn-2Nazn体系电导率大于NaZn体系的电导率,即Sbzn-2NaZn掺杂改善了体系的导电性.计算结果为实验制备p型ZnO材料提供了理论指导.

关键词: p型ZnO;电子结构;导电性能

中图分类号: