电子和空穴注入对氮掺杂SnO2材料光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (12): 2908-2912.

电子和空穴注入对氮掺杂SnO2材料光电性能的影响

邢丹旭;张昌文;王培吉

济南大学物理学院,济南,250022

出版日期:2016-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61172028)

Effect of Electron and Hole Injection on the Photoelectric Performance of N-doped SnO2 Materials

XING Dan-xu;ZHANG Chang-wen;WANG Pei-ji

Online:2016-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法研究了电子、空穴对N掺杂SnO2光电性能的影响,结果表明注入空穴比注入电子的Sn16O31N体系禁带宽度减小了0.02 eV,比未注入电子、空穴的Sn16O31N体系变窄了0.04 eV,导带也相对展宽,体系呈现出半金属特性,SnO2材料导电性能有所提高.注入空穴的体系光学特性也发生了较大的变化,其吸收系数、能量损失函数及折射率在低能区域低于本征和电子注入体系,整个体系的态密度向低能方向移动发生了红移,吸收边变宽,体系的光学响应增大.

中图分类号:

O469

邢丹旭;张昌文;王培吉. 电子和空穴注入对氮掺杂SnO2材料光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(12): 2908-2912.

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