基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (3): 623-628.

基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究

周晶晶;肖少庆;姚尧;顾晓峰

江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡214122

出版日期:2016-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61404061);江苏省自然科学青年基金(BK20140168)

Study on Low-temperature Silicon Nitride Passivation Films Based on Advanced Plasma

ZHOU Jing-jing;XIAO Shao-qing;YAO Yao;GU Xiao-feng

Online:2016-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和氢气(H2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(SiNx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征.采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果.结果表明,氮硅原子比为0.4的SiN0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29;,而且其钝化效果最好.最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 mV.

中图分类号:

O484

周晶晶;肖少庆;姚尧;顾晓峰. 基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(3): 623-628.

ZHOU Jing-jing;XIAO Shao-qing;YAO Yao;GU Xiao-feng. Study on Low-temperature Silicon Nitride Passivation Films Based on Advanced Plasma[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(3): 623-628.

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