Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (3): 743-748.

Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响

王海林;孙宜华;莫观孔;方亮;王磊;黄妞

三峡大学材料与化工学院,宜昌,443002;三峡大学材料与化工学院,宜昌443002;桂林理工大学广西新能源与建筑节能重点实验室,桂林541004;桂林理工大学广西新能源与建筑节能重点实验室,桂林,541004

发布日期:2021-01-20
基金资助:
广西建筑新能源与建筑节能重点实验室开放基金(A0008)

Influences of Ga Doping Concentration on the Photoelectrical Properties of GZO Thin Films Prepared by Sol-Gel Method

WANG Hai-lin;SUN Yi-hua;MO Guan-kong;FANG Liang;WANG Lei;HUANG Niu

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响.结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at;时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4;,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at;时达最小值7.62×10-3 Q·cm.

中图分类号:

O484

王海林;孙宜华;莫观孔;方亮;王磊;黄妞. Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(3): 743-748.

WANG Hai-lin;SUN Yi-hua;MO Guan-kong;FANG Liang;WANG Lei;HUANG Niu. Influences of Ga Doping Concentration on the Photoelectrical Properties of GZO Thin Films Prepared by Sol-Gel Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(3): 743-748.

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