退火和电子辐照复合处理对ZnGeP2单晶性能的改进研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (7): 1723-1726.

退火和电子辐照复合处理对ZnGeP2单晶性能的改进研究

赵张瑞;朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;杨登辉;刘伟;谢虎;吴嘉琪

四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

出版日期:2016-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金重点项目(50732005)

Study on Improvement of ZnGeP2 Single Crystal Properties by Annealing and Electron Irradiation Composite Process

Online:2016-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用退火和电子辐照相结合的复合工艺方法,对ZnGeP2晶体进行生长后处理.采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和高阻仪(HRM)等,对经不同次序的复合工艺处理前后样品的红外透过率和电阻率进行了测试.结果表明,采用先退火后电子辐照的复合处理工艺,样品的红外透过率能得到明显的提高.

中图分类号:

赵张瑞;朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;杨登辉;刘伟;谢虎;吴嘉琪. 退火和电子辐照复合处理对ZnGeP2单晶性能的改进研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(7): 1723-1726.

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